Tentamen i Fasta tillståndets fysik (FFY012/FYP330)
Tid och plats: 2018-03-15, kl. 14:00-18:00, SB-salarna.
Examinatorer: Mats Granath och Mattias Thuvander (073 143 37 09).
Hjälpmedel: Beta, Physics Handbook, penna, sudd, passare, linjal, typgodkänd räknare eller annan räknare i fickformat utan inprogrammerad text/ekvationer relevant för duggan och ett egenproducerat A4 (dubbelsidigt) med valfritt innehåll.
Bedömning: Max 20p. Betyg Chalmers: 3 – 10p, 4 – 14p, 5 – 17p. Betyg GU: G – 10p, VG – 15p.
Skriv tydligt och motivera dina svar.
______________________________________________________________
Uppgift 1
Ett pulver består av en blandning av kristaller av guld, FCC med gitterparameter 4,078 Å, och ett annat ämne som har BCC struktur. I ett q-2q röntgen-experiment gav följande sju vinklar (2q) diffraktion (2q < 120˚). Vilken gitterparameter har BCC kristallen?
44,68˚ 52,07˚ 64,53˚ 77,05˚ 93,82˚ 98,04˚ 98,98˚
(4p)
Uppgift 2
Ett enkelt rektangulärt 2D gitter har a = 4,0 Å och b = 5,0 Å. Det sitter en kolatom i varje gitterpunkt.
a) Bestäm den (fysikaliskt meningsfulla) kortaste våglängden för gittersvängningar.
Behandla problemet i två dimensioner.
(2p) b) Rita motsvarande vågvektor i första Brillouin-zon. (1p) b) Hur stor är vågutbredningshastigheten (grupphastigheten) för denna svängning?
(1p)
Uppgift 3
En metall har tetragonal enhetscell enligt figur, med gitterkonstanter a = 5Å och c = 10Å.
Tätheten av fria elektroner antas kunna varieras.
a) Antag att den fria elektronmodellen gäller. Beräkna hur många elektroner per en- hetscell som metallen kan ha om Fermiytan precis får plats i 1sta Brillouinzonen (BZ).
(Dvs. Fermiytan tangerar det närmsta Braggplanet.) (2p)
b) I en mer realistisk beskrivning av metallen som tar hänsyn till kristallpotentialen ges energin av (~k) = 2m¯h2
e(αkx2+ αky2+ βk2z) där me är fria elektronmassan, α = 2 och β = 1.
Hur många elektroner per cell kan metallen nu ha om Fermiytan tangerar det närmsta Braggplanet i 1sta BZ? (2p)
a c
a z
y
x
Uppgift 4
En typ av halvledare har ett ledningsband med effektiv massa m∗e = 1.2me, ett valens- band med effektiv massa (för hål) m∗h = 0.8me, och bandgap Eg = 1.0eV. Vi vet också att elektronernas mobiltet är 20% högre än hålens, dvs. µe = 1.2µh. Temperaturen är T = 300K.
a) Beräkna elektron och håltäthet för en intrinsisk kristall av denna typ av halvledare vid given temperatur. (1p)
b) Konduktiviteten för den intrinsiska kristallen uppmäts till σ = 3.5 · 10−3Ω−1m−1 vid denna temperatur. Beräkna mobiliteterna µe och µh. (1p)
c) Antag nu att vi har en p-dopat kristall av samma halvledare, med acceptorkoncentra- tion nA = 1.0 · 1020m−3. Halvledaren kan antas vara i den extrinsiska regimen vid given temperatur, dvs alla acceptornivåer är fyllda med elektroner och vi kan anta n−A = nA. Beräkna elektronkoncentrationen n. (1p)
d) Beräkna konduktiviteten för den dopade extrinsiska halvledaren vid given temperatur.
(1p)
Uppgift 5
Även om ett ämne inte har några valenselektroner kan det vara en metall, genom att två band överlappar vid Fermienergin.
Betrakta en 2D kvadratisk kristall med gitterparameter a = 3Å. Det finns två band som nära botten respektive toppen av banden beskrivs av
1(~k) = ¯h2
2m∗1|~k|2− E0 , (1)
2(~k) = − ¯h2
2m∗2|~k − ~π|2. (2)
där E0 = 0.1eV, m∗1 = me, m∗2 = me/2 och ~π = (π/a, π/a). Laddningsneutralitet innebär att antalet elektroner n i band 1 måste vara lika med antalet hål p i band 2.
a) Beräkna n vid T = 0. (2p)
b) Rita Fermiytan för båda banden i 1sta Brillouinzon. Ytornas storlek och placering ska framgå. (2p)
Lycka till!
Mattias och Mats
2
3
1st
BZ <fail T.IT ;
¥I¥÷€±I# :E÷¥i KII
"a)
Fridektro - n=EQEII :n¥Ii¥¥÷¥÷
i.
Ee
'×=g÷dIP=C÷YI
=Fz
= 0.26
-
b) E=±÷
.(
xke ,xkjepkz )
9=2 . B = '=I
eemista
⇐ =aE '*¥÷IIII=a¥ (
Kia=2m÷mE,=/pM )
-on =
¥3
"¥ kexkeykez
=¥2 (F) Kfc
n -
In
x=s÷CE)CEP=EK£)E=
'=
#
a 0.13-
4
a)
lntrinsisk n=p .#
=Mo
e.ES/2koT=m*e=i.r
- e - 4.81 .io " T "( II. F. ( ¥1314
e'
Eskkstog
-
* .
=o→ - e =
9.7.10
'6m→
\ EV
EII
, 00k =b)
O=neui.penn.fm
:[
fmn]=
' me .2 .2mng.
is.co?tr
"
mn =
6/4.2
ne)
=0,10mL
= VSMe = 1.2 mn a 0.12
=
= Vs
C
) extrinsisk
nia = na = 1,0 .io " -3p=n → nia j ui vet ocksi (
massyeaclgans )
2 °
> i. 0.10
np =
Cnp
) ,itr == 9.5 . 1033 m ' 6
. I
na < p = ,
p=nI= 1,020mi
3
n =
cnpptitr
= 9,5 .1013 in
-
d)
o= nemexpemn=[n<
<p]=
Penn= 1,6 I
"÷
g E. a
¥n*
,
N - E
° I
|
" "
1€
a q
e. =
.T÷*
.IE
' -Ft
/ kE ^
e ,
¥⇐T¥
-T, p . kx÷l±÷¥ A)- o N F@rnieaerginmasteliggasiattn.p .AT
{ q . Eoit III
=:(.
0,1E. I
EV )
2D
¥
n=IKE
,p=z,÷,FkE
.I Kf , =
Kfz
= KFE. =
II.
-Eo KI =jh÷*
,
Ker
ke '
( ¥n*
.+
Ih÷*
.
)
=Eo's '=
=[
ZIA
,, ]
" '
=
0,094£
'%
, 81 evff 'n =
zkI÷=
0.0014FF
' = 1.4.10'7m-
2-
m3Z Is
tk ° - l
b)
u¥
a K ,==medjdnfoirt
0.1Afour
bardenbeda- it I > KX
I ° - I
2 2
z = 1 A
4 dekr
-77
([
Det enabandetuid 8 Errettau band
- it elektroaband
, det andra uid #
2 i lsta BZ
.
2 air e* hsdband
.
De tar
]
aLike stor area
.