• No results found

C Schéma výukového přípravku

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2022

Share "C Schéma výukového přípravku"

Copied!
1
0
0

Loading.... (view fulltext now)

Full text

(1)

AT89C51CC03

GND

+5 V

VC C IO

1u

VC C IO

74AC125D

74AC125D

VC C IO

20 MHz

33p 33p

GND GND

GND VC C IO 10k

GND

10 k

10 k VC C IO

VC C IO VC C IO

TJA1040

10 k

100n

10 k

GND

VC C IO

GND

TJA1054T

10 k 10 k

GND

VC C IO

74HC595D

74HC595D GND

VC C IO

100n 100n 100u

100u

120

VC C IO

GND

VC C IO

RR 8x56k

RR 4x10k VC C IO

GND GND

GND

IC1 RESET 1

VAGND

2 VAREF

3

P1.0/AN0/T2 4 P1.1/AN1/T2EX 5 P1.2/AN2/ECI 6 P1.3/AN3/CEX0 7 P1.4/AN4/CEX1 8 P1.5/AN5/CEX2 9 P1.6/AN6/CEX3 10 P1.7/AN7/CEX4 11

12 EA NC13 13

P3.0/RXD 14

P4.3/SCK 15

P3.1/TXD 16

P3.2/INT0 17

P3.3/INT1 18

P3.4/T0 19

P3.5/T1/SS 20

P3.6/WR 21

P3.7/RD 22

P4.0/TXDC 23

P4.1/RXDC 24

P2.7/A15 25 P2.6/A14 26 NC27 27

P2.5/A13 28 P2.4/A12 29 P2.3/A11 30 P2.2/A10P2.1/A9 3132 P4.2/MISO

33

P2.0/A8 34 P0.0/AD0 35

P4.4/MOSI 36

P0.1/AD1 37 P0.2/AD2 38 P0.3/AD3 39 P0.4/AD4 40 P0.5/AD5 41 NC42 42

P0.6/AD6 43 P0.7/AD7 44 45 PSEN

46 ALE

XTAL2 47

XTAL1 48

VCC4949 VCC5050

TESTI 51

VSS52

R E S E T

3 1 2

4

C1

1

IC2A

2 3

4

IC2B

5 6

Q1

2 1

C2 C3

R1

R 2

R 3

IC3

TXD 1

GND 2

VCC 3

RXD 4

SPLIT 5 CANL

6 CANH

7 STB

8

R 4 C4

R 5

IC4

INH 1

TXD 2

RXD 3

ERR 4

STB 5

EN 6

WAKE 7

8 RTHRTL

9 VCC

10 CANH

11 CANL

12 GND

13 BAT 14

JP1

12 3

R 6 R 7

QB 1

QC 2

QD 3

QE 4

QF 5

QG 6

QH 7

10 SCLSCK 11

12 RCK

13 G

14 SER QA 15

QH* 9

IC5P

GNDVCC816

QB 1

QC 2

QD 3

QE 4

QF 5

QG 6

QH 7

10 SCLSCK 11

12 RCK

13 G

14 SER QA 15

QH* 9

IC6P

GNDVCC816

P S E N

3

1 2

4

JP 3

1 2 3

JP 4

1 2 3

J1

12 34 56 78 910 1112 1314 1516 1718 1920

J2

12 34 56 78 910 1112 1314 1516 1718 1920

J3

12 34 56 78 910 1112 1314 1516 1718 1920

JP 5

1 2 3

JP 6

1 2 3

C5 C6

C7 C8

JP 7

1 2

R9

1

RN1

2 3 4 5 6 7 8 9

RN2

1 2 3 4 5

S L1

1 2 3

S L2

1 2 3

JP2

1

2 3

4

GND GND GND

VCCIO VCCIO VCCIO

LED1

LED1 KPAD1

KPAD1 KPAD2

KPAD2 KPAD3

KPAD3 KPAD4

KPAD4 KPAD5

KPAD5 KPAD6

KPAD6 KPAD7

KPAD7 KPAD8

KPAD8 LCD_RS

LCD_RS LCD_RW

LCD_RW LCD_E

LCD_E LCD_DB8

LCD_DB8 LCD_DB7

LCD_DB7 LCD_DB6

LCD_DB6 LCD_DB5

LCD_DB5 LCD_DB4

LCD_DB4 KEY1

KEY1

KEY2 KEY2

RTC_SDA RTC_SDA

RTC_SCL RTC_SCL

TEMP_OUT

TEMP_OUT

BAR1 BAR1

BAR2 BAR2

BAR3 BAR3

BAR4 BAR4

BAR5 BAR5

BAR6 BAR6

BAR7 BAR7

BAR8 BAR8

BAR9 BAR9

BAR10 BAR10

RXD2 RXD2

RXD1 RXD1

TXD1

TXD1 DTR1

DTR1

RTS1

RTS1

+3V3 +5V +3V3 +5V

PIEZO

PIEZO POT

POT ZAR

ZAR LED2

LED2 LED3

LED3 TXD2

TXD2 DTR2 DSR2

DIR485

DIR485 CTS1

DSR1 DCD1 RI1

+

+

+

Spojit

C Schéma výukového přípravku

References

Related documents

Při válcování závitu jsou tvářené vrstvy materiálu plasticky deformovány, zatímco v hloubce vznikají jenom pružné deformace (pružná prodloužení). Po skončení

[r]

uLLu.' d,l,íz Hodnocení navrhované oponent€m diplomové pr áce ue{ q,; olo br. Průběh obhajoby

58% respondentů z experimentální skupiny uvedlo, že uvažuje o výletu do národního parku, 8% by neuskutečnilo výlet do národního parku a 34% respondentů nevědělo, zda

model není plně funkční, nereprezentuje důležité mezikroky, ke kterým fakticky zařazované aktivity vedou, a program tak jako celek ztrácí na účinnosti. Na základě diskuze

schéma navrhované zeleně bakalářská práce - hřbitov a smuteční síň v Mladé Boleslavi. vypracovala Barbora Šímová - vedoucí

schéma hřbitova bakalářská práce - hřbitov a smuteční síň v Mladé Boleslavi. vypracovala Barbora Šímová - vedoucí

- princip změny fyzikálně chemických parametrů – změnit fázový stav, hustotu