Typy v´ yboj˚ u studen´ eho plazmatu vhodn´ e pro ´ upravy textili´ı . 24

Doutnav´y v´yboj: Je dosaˇzen pˇri n´ızk´ych tlac´ıch, obvykle menˇs´ıch neˇz 10 mbar.

Plazma je generov´ano elektrodami, nap´ajen´ymi elektromagnetick´ym polem pˇri frek-venc´ıch 40 kHz nebo 13,56 MHz nebo mikrovlnami (2,45 GHz).

Koronov´y v´yboj: Ten vznik´a za atmosf´erick´eho tlaku za pomoc´ı stejnosmˇern´eho, n´ızkofrekvenˇcn´ıho nebo pulzn´ıho vysok´eho napˇet´ı mezi dvˇema elektrodami velmi r˚uzn´e velikosti. Korona se skl´ad´a z ˇrady rychl´ych, nejednotn´ych, neobloukov´ych v´yboj˚u. Hustota plazmatu prudce kles´a s rostouc´ı vzd´alenost´ı od elektrody.

Dielektrick´y bari´erov´y v´yboj: Jedn´a se o plazmov´y atmosf´erick´y v´yboj. V tomto pˇr´ıpadˇe se pouˇz´ıv´a pulzn´ı vysok´e napˇet´ı mezi elektrodami, jedna nebo obˇe z nich jsou pokryty dielektrickou vrstvou. ´Uˇcelem dielektrick´e vrstvy je rychl´e ukonˇcen´ı oblouk˚u, kter´e se vytv´aˇr´ı v oblasti mezi elektrodami. V´yboj se skl´ad´a z ˇrady rychl´ych mikrov´yboj˚u.

Atmosf´erick´a plazmov´a tryska: Tento netepeln´y atmosf´erick´y doutnav´y v´yboj je vytvoˇren´y v neust´ale proud´ıc´ım plynu, plazmatick´y syst´em pracuje na principu bari´erov´eho pochodˇnov´eho v´yboje (barrier torch discharge). Vhodn´y chemick´y pre-kurzor ve formˇe par je pˇriv´adˇen do dut´e katody, na jej´ımˇz konci je RF v´ybojem generov´ano plasma [90, 91, 92].

2.6.2 Povrchov´ e ´ upravy vyuˇ z´ıvaj´ıc´ı plazmatick´ ych proces˚ u

Interakce mezi velmi aktivn´ımi chemick´ymi ˇc´asticemi (a fotony) pˇr´ıtomn´ych v plazmov´em plynu a substr´atem je z´akladem vˇsech pr˚umyslov´ych aplikac´ı v´yˇse uveden´ych tech-nologi´ı. Vzhledem k velmi komplexn´ı a nerovnov´aˇzn´e povaze studen´eho plazmatu, m˚uˇze doj´ıt k velmi rozd´ıln´ym jev˚um, a to v z´avislosti na povaze plynu a procesn´ıch podm´ınk´ach. Nejˇcastˇejˇs´ı jevy pˇri plazmov´ych procesech jsou uvedeny v n´asleduj´ıc´ım pˇrehledu:

Cistˇˇ en´ı nebo lept´an´ı: Pro doc´ılen´ı tˇechto jev˚u je uˇz´ıv´ano plazma na z´akladˇe inertn´ıch plyn˚u (Ar, He, atd.), dus´ıku nebo kysl´ıku. Bombardov´an´ı substr´atu tˇemito druhy plazmatu zp˚usobuje rozpad kovalentn´ı vazby. V d˚usledku toho prob´ıh´a oddˇelen´ı druh˚u s n´ızkou molekulovou hmotnost´ı (ablace). T´ımto zp˚usobem se od-stran´ı neˇcistoty nebo dokonce tenk´e vrstvy substr´atu, ˇc´ımˇz jsou vytvoˇreny velmi ˇcist´e povrchy, modifikace v ploˇse, nebo ˇr´ızen´e redukce hmotnosti exponovan´eho substr´atu.

Aktivace: Interakce s plazmatem mohou indukovat tvorbu aktivn´ıho m´ısta na povrchu polymeru (radik´aly nebo dalˇs´ı aktivn´ı skupiny, jako jsou hydroxylov´e, kar-boxylov´e, karbonylov´e, aminov´e skupiny), coˇz m˚uˇze v´est k chemick´e reakci, netypick´e pro neupraven´y materi´al, s l´atkami ve styku s materi´alem po plazmov´em zpracov´an´ı.

Oˇckov´an´ı: Radik´alov´e ˇc´astice pˇr´ıtomn´e v plazmatu mohou b´yt pˇr´ımo narou-bov´any na povrch polymeru.

Polymerizace: pomoc´ı specifick´ych molekul m˚uˇze doj´ıt k procesu zn´am´emu jako plazmovˇe podpoˇren´a depozice chemick´ych par (PECVD). Tyto molekuly, aktivo-van´e v plazmatu, mohou navz´ajem reagovat a vytv´aˇret polymer pˇr´ımo na povrchu substr´atu. Podle nastaven´ı experiment´aln´ıch podm´ınek jsou z´ısk´any chemicky je-dineˇcn´e nanometrick´e polymern´ı povlaky a m˚uˇzou b´yt modifikov´any dalˇs´ı vlastnosti v´ychoz´ıho materi´alu.

Obr´azek 2.8: Procesy studen´eho plazmatu Zdroj: [6]

Vˇsechny tyto jevy jsou omezeny na nejsvrchnˇejˇs´ı vrstvy substr´atu Za norm´aln´ıch okolnost´ı ´uˇcinky plazmatick´eho zpracov´an´ı nezahrnuj´ı vrstvy hlubˇs´ı neˇz 10 – 100 nm.

Nicm´enˇe je tˇreba m´ıt na zˇreteli tak´e to, ˇze ultrafialov´e z´aˇren´ı (UV), nebo va-kuov´e ultrafialov´e (VUV) z´aˇren´ı (o vlnov´e d´elce < 200 nm) je d˚uleˇzitou sloˇzkou v plazmatu. UV z´aˇren´ı m˚uˇze v´est k ˇradˇe fotochemick´ych interakc´ı se substr´atem, jako je napˇr´ıklad poˇskozen´ı vazeb a vzniku voln´ych radik´al˚u, dosahuj´ıc´ıch aˇz do vnitˇrn´ıch vrstev (> 10 nm) v z´avislosti na absorpˇcn´ım koeficientu substr´atu [93].

3. C´ıle pr´ ace

Z´akladn´ım c´ılem byl v´yzkum problematiky, kter´a je spojena s depozic´ı tenk´ych funkˇcn´ıch vrstev na textiln´ı substr´aty metodou PECVD.

Vzhledem k tomu, ˇze textiln´ı substr´at m´a por´ezn´ı charakter, jedn´ım z pod-statn´ych jev˚u ovlivˇnuj´ıc´ıch homogenitu deponovan´e vrstvy je schopnost tvorby vrs-tev ve st´ınˇen´ych prostorech, kter´e nejsou pˇr´ımo celoploˇsnˇe v kontaktu s aktivn´ım plazmatem. Proto byly stanoveny tyto d´ılˇc´ı c´ıle:

ˆ Navrhnout metodiku v´yzkumu dif´uze aktivn´ıch ˇc´astic plazmov´e modifikace, prok´azat a kvalifikovat penetraˇcn´ı schopnosti aktivn´ıch ˇc´astic bˇehem plazma-tick´eho depoziˇcn´ıho procesu. Experiment´alnˇe ovˇeˇrit vliv depoziˇcn´ıch para-metr˚u a molekul´arn´ı hmotnosti radik´al˚u na hloubku zab´ıh´an´ı vrstvy do st´ınˇen´eho prostoru

ˆ Druh´ym d´ılˇc´ım c´ılem byl n´avrh a ovˇeˇren´ı metodiky PECVD tenk´ych vrstev na tkaninu, s vyuˇzit´ım t´eto metodiky navrhnout vhodn´y textiln´ı substr´at i meto-diku pro PECVD fotokatalytick´e vrstvy a ovˇeˇrit jej´ı funkˇcnost.

4. Pouˇ zit´ e experiment´ aln´ı metody

Tenk´e vrstvy, studovan´e v pˇredkl´adan´e disertaˇcn´ı pr´aci, byly vytv´aˇreny metodou PECVD. Pro vytvoˇren´ı vrstev byly pouˇzity dva r˚uzn´e vakuov´e reaktory s vyso-kofrekvenˇcn´ım zdrojem napˇet´ı v laboratoˇri povrchov´eho inˇzen´yrstv´ı Katedry ma-teri´alu, Fakulty strojn´ı na TUL. Pouˇzit´a zaˇr´ızen´ı jsou pops´ana v n´asleduj´ıc´ı kapitole 4.1.

Penetraˇcn´ı schopnost aktivn´ıch ˇc´astic byla zkoum´ana pro r˚uznˇe velk´e molekuly.

Konkr´etnˇe se jednalo o acetylen, ze kter´eho lze vytv´aˇret vrstvy plazmov´ych polymer˚u a Titanium (IV) iso-propoxide, d´ale jen TTIP, kter´y je pouˇz´ıv´an jako prekurzor pro nan´aˇsen´ı tenk´ych vrstev oxid˚u titanu. Podrobnˇeji se pouˇzit´ym prekurzor˚um vˇenuje kapitola 4.2.

V kapitole 4.3 je uveden pˇrehled pouˇzit´ych substr´at˚u pro nan´aˇsen´ı tenk´ych vrs-tev. Kapitola 4.4 pak popisuje jednotliv´a zaˇr´ızen´ı a metody, kter´e byly pouˇzity pˇri anal´yze vytvoˇren´ych vrstev a testov´an´ı jejich vlastnost´ı.

4.1 Pouˇ zit´ a zaˇ r´ızen´ı pro depozici vrstev

Vrstvy byly vytv´aˇreny metodou PECVD ve dvou typech n´ızkotlak´ych plan´arn´ıch reaktor˚u s kapacitnˇe v´azan´ym RF v´ybojem. Z´akladn´ım rozd´ılem obou aparatur byla velikost reakˇcn´ı n´adoby a vnitˇrn´ı uspoˇr´ad´an´ı substr´atu a elektrody. V reak-toru se substr´atem ukl´adan´ym na uzemnˇenou elektrodu byl bˇehem jednotliv´ych f´az´ı v´yzkumu mˇenˇen pouˇz´ıvan´y prekurzor a tedy i uspoˇr´ad´an´ı aparatury bylo nutn´e upra-vit pro jednotliv´e procesy vytv´aˇren´ı vrstev. Ve druh´em typu reaktoru byl substr´at vloˇzen na nap´ajenou elektrodu a pˇredehˇr´ıv´an na urˇcitou teplotu. Obˇe aparatury byly souˇc´ast´ı Laboratoˇre povrchov´eho inˇzen´yrstv´ı na Katedˇre materi´alu Fakulty strojn´ı na Technick´e univerzitˇe v Liberci.

4.1.1 Aparatura pro polymerizaci acetylenu se substr´ atem na uzemnˇ en´ e elektrodˇ e

Na obr´azku 4.1 je uvedeno uspoˇr´ad´an´ı aparatury pro plazmovou polymerizaci acetylenu. Aparatura byla sestavena z uzemnˇen´e nerezov´e komory, RF elektrody, ˇcerpac´ıho syst´emu, pˇr´ıvodu plyn˚u a mˇeˇr´ıc´ıch zaˇr´ızen´ı. Aktivn´ı prostor komory veli-kosti 500×500×500 mm, tedy objem cca 125 l, byl omezen pomoc´ı st´ınˇen´ı z hlin´ıkov´e

f´olie. Ta byla um´ıstˇena okolo elektrody a stolku nesouc´ı substr´at. T´ımto zmenˇsen´ım pracovn´ıho prostoru byla zv´yˇsena koncentrace aktivn´ıch ˇc´astic v plazmatu a bylo moˇzn´e tak dos´ahnout vyˇsˇs´ı efektivity vytv´aˇren´ı vrstev. ˇCerpac´ı syst´em tvoˇr´ı rotaˇcn´ı a Rootsova v´yvˇeva. Jejich ochrana proti chemick´ym produkt˚um vytvoˇren´ych bˇehem depozice byla zajiˇstˇena vymrazovac´ım zaˇr´ızen´ım, kter´e bylo chlazeno tekut´ym dus´ıkem. Tlak v aparatuˇre byl nastavov´an pomoc´ıˇskrcen´ı rychlosti s´an´ı mot´ylkov´ym ventilem um´ıstˇen´ym na v´ystupu z komory. Pr˚utok plyn˚u byl ˇr´ızen pr˚utokomˇery spoleˇcnosti MKS. Vysokofrekvenˇcn´ı elektroda byla nap´ajena z RF gener´atoru vy-sok´eho napˇet´ı s frekvenc´ı 13,56 MHz a maxim´aln´ım v´ykonem 300 W. Maxim´aln´ı efektivita pˇrenosu RF napˇet´ı na elektrodu byla zajiˇstˇena vyrovn´avac´ı impedanˇcn´ı jednotkou.

Obr´azek 4.1: Sch´ema aparatury pro plazmovou polymerizaci acetylenu

Jako uzemnˇen´a elektroda byl pouˇzit v´yˇskovˇe staviteln´y stolek, kter´y umoˇzˇnoval pˇresnou regulaci vzd´alenosti substr´at˚u od nap´ajen´e elektrody. Tento stolek byl vy-roben z nerezov´eho inertn´ıho materi´alu, aby nedoch´azelo k uvolˇnov´an´ı neˇz´adouc´ıch ˇc´astic bˇehem plazmov´eho procesu. Plynul´a regulace v´yˇsky je zajiˇstˇena ˇsroubov´ym pˇrevodem. Horn´ı deska stolku byla vymˇeniteln´a. Pln´a deska byla pouˇzita pro bˇeˇzn´e substr´aty a na druh´e desce s otvorem se pokl´adal drˇz´ak pr´aˇskov´eho substr´atu se ˇsroubem. Mezi nap´ajenou elektrodou a uzemnˇenou elektrodou (stolkem) se nach´azel pˇr´ıvod prekurzoru. Vzorky na stolku byly uspoˇr´ad´any podle sch´ematu z obr´azku 4.2.

4.1.2 Aparatura pro depozici TiO

₂

se substr´ atem na uzemnˇ en´ e elektrodˇ e

Pro moˇznost porovn´an´ı z´avislosti penetraˇcn´ıch schopnost´ı aktivn´ıch ˇc´astic na veli-kosti molekul byly d´ale deponov´any vrstvy na b´azi TiO₂, kde jako prekurzor byl pouˇzit TTIP.

přívod

Pro depozici byl pouˇzit stejn´y reaktor, jako pˇri plazmov´e polymerizaci acetylenu, kter´y vˇsak musel b´yt upraven. Pro deponov´an´ı vrstev TiO₂ byl k aparatuˇre pˇripojen v´yparn´ık s tekut´ym TTIP, jak je uvedeno na obr´azku 4.3. Dosaˇzen´ı poˇzadovan´e tep-loty v´yparn´ıku a jej´ı udrˇzen´ı bylo zajiˇstˇeno kapalinov´ym obˇehov´ym termostatem s pracovn´ım m´ediem ethylenglykolem. Veden´ı mezi v´yparn´ıkem a komorou bylo odporovˇe vyhˇr´ıv´ano, aby nedoch´azelo ke kondenzaci par uvnitˇr veden´ı. Regulace pr˚utoku par prekurzoru byla zajiˇstˇena jehlov´ym ventilem.

hmotnostní

Obr´azek 4.3: Sch´ema aparatury pro depozici vrstev TiOx

Kromˇe pˇripojen´ı v´yparn´ıku a veden´ı prekurzoru do reakˇcn´ı komory byly pˇrizp˚ u-sobeny a optimalizov´any depoziˇcn´ı podm´ınky a uspoˇr´ad´an´ı substr´atu v aparatuˇre jako je um´ıstˇen´ı pˇr´ıvodu prekurzoru v aparatuˇre a vzd´alenost od elektrody. Pˇredevˇs´ım um´ıstˇen´ı pˇr´ıvodu prekurzoru bylo nutno pozmˇenit oproti pˇredchoz´ımu uspoˇr´ad´an´ı pˇri pouˇz´ıv´an´ı acetylenu. Velikost a molekulov´a hmotnost ˇc´astic pouˇz´ıvan´eho TTIP je mnohem vyˇsˇs´ı neˇz u acetylenu. Z toho d˚uvodu doch´azelo pˇri depozici podle

p˚uvodn´ıho uspoˇr´ad´an´ı, kdy byl pˇr´ıvod pracovn´ıho plynu nad hranou stolku (obr.

4.2), k tvorbˇe velmi nehomogenn´ı vrstvy. D´ıky um´ıstˇen´ı pˇr´ıvodu par prekurzoru pˇr´ımo nad stolek se substr´aty (obr. 4.4) byl zajiˇstˇen rovnomˇernˇejˇs´ı rozptyl par TTIP v prostoru v´yboje, a t´ım k vytv´aˇren´ı homogennˇejˇs´ı vrstvy.

přívod plynu

odvod plynu

stolek se substráty elektroda

Obr´azek 4.4: Uspoˇr´ad´an´ı substr´at˚u v aparatuˇre vzhledem k pˇr´ıvodu plynu a ods´av´an´ı

4.1.3 Aparatura pro depozici TiO

2

se substr´ atem na nap´ ajen´ e elektrodˇ e

Dalˇs´ı zaˇr´ızen´ı, ve kter´em prob´ıhalo vytv´aˇren´ı vrstev TiO₂ byla aparatura s opaˇcn´ym uspoˇr´ad´an´ım. Substr´at byl um´ıstˇen na nap´ajenou elektrodu, bylo moˇzn´e vyuˇz´ıt tzv.

pˇredpˇet´ı, tedy z´aporn´e napˇet´ı na elektrodˇe, d´ıky nˇemuˇz byly radik´aly vznikaj´ıc´ı v plazmatu pˇrednostnˇe orientov´any ve smˇeru k t´eto elektrodˇe. Dalˇs´ı v´yhodou t´eto aparatury byla moˇznost vyhˇr´ıv´an´ı substr´atu v rozsahu 25–500^◦C.

Depoziˇcn´ı aparatura pouˇzita pro tento typ depozic byla sestavena z uzemnˇen´e reakˇcn´ı n´adoby z nerezov´e oceli, vysokofrekvenˇcn´ı elektrody, ˇcerpac´ıho zaˇr´ızen´ı, plynov´eho hospod´aˇrstv´ı a pˇr´ıdavn´ych mˇeˇr´ıc´ıch zaˇr´ızen´ı. ˇCerpac´ı zaˇr´ızen´ı bylo sloˇzeno z rotaˇcn´ı olejov´e v´yvˇevy a Rootsovy such´e v´yvˇevy. Ochrana pump proti poˇskozen´ı ˇc´asticemi prachu byla zajiˇstˇena vymrazovac´ım zaˇr´ızen´ım s tekut´ym dus´ıkem um´ıstˇen´ym pˇred vstupem do pump. Sch´ema aparatury je zn´azornˇeno na obr´azku 4.5.

Vysokofrekvenˇcn´ı elektroda byla nap´ajena z radiofrekvenˇcn´ıho (RF) gener´atoru vysok´eho napˇet´ı s frekvenc´ı 13,56 MHz. Minimalizace ztr´at v´ykonu pˇri pˇrenosu na elektrodu zajiˇst’ovala vyrovn´avac´ı impedanˇcn´ı jednotka. Elektroda umoˇzˇnovala od-porov´y ohˇrev do 500^◦C. Pr˚utok plynu byl ˇr´ızen kontroln´ı jednotkou MKS. K de-poziˇcn´ı n´adobˇe byl pˇripojen kovov´y v´yparn´ık s obˇehovou ohˇrevovou jednotkou s ethy-lenglykolem s maxim´aln´ı teplotou ohˇrevu 150^◦C. Veden´ı mezi v´yparn´ıkem a komo-rou bylo i u t´eto aparatury odporovˇe vyhˇr´ıv´ano, aby se zabr´anilo kondenzaci par na stˇen´ach [4].

hmotnostní průtokoměr

přizpůsobovací impedanční

jednotka vysokofrekvenční

generátor O2

Ar

TTIP

odporový ohřev

vymrazovací zařízení rotační

olejová vývěva rootsova

vývěva

Obr´azek 4.5: Sch´ema aparatury pro depozici vrstev TiO₂ s uloˇzen´ım substr´atu na nap´ajenou elektrodu

4.2 Pouˇ zit´ e prekurzory

Za ´uˇcelem testov´an´ı vlivu velikosti molekul na dif´uzi pˇri depoziˇcn´ım procesu byly pouˇzity dva r˚uzn´e prekurzory pro vytv´aˇren´ı vrstev.

4.2.1 Acetyl´ en

Jako prekurzor pro vytv´aˇren´ı polymern´ıch vrstev byl pouˇzit acetylen. Acetylen je technicky velmi vyuˇz´ıvan´y plyn pˇredevˇs´ım pro svaˇrov´an´ı, ˇrez´an´ı atd. Ve smˇesi s kysl´ıkem hoˇr´ı velmi hork´ym plamenem – aˇz 3000^◦C. Pro jeho snadnou polymeraci je vhodn´ym prekurzorem pro vytv´aˇren´ı tenk´ych vrstev metodou PECVD. Sch´ema molekuly zn´azorˇnuje obr´azek 4.6 a z´akladn´ı charakteristiku ud´av´a tabulka 4.1.

H C C H

Obr´azek 4.6: Acetyl´en

4.2.2 Titanium (IV) iso-propoxide – TTIP

Pracovn´ım plynem pro depozici TiO₂ vrstev byla pouˇzita smˇes par prekurzoru Ti-tanium (IV) iso-propoxide TTIP (Ti[OCH(CH₃)₂]₄) a kysl´ıku. TTIP patˇr´ı mezi nej-pouˇz´ıvanˇejˇs´ı zdroj titanu a je vyuˇz´ıv´an pro tvorbu vrstev TiO₂ nejen plazmatick´ymi

Tabulka 4.1: Z´akladn´ı charakteristika acetylenu. Zdroj: [94]

chemick´y vzorec C₂H₂

mol´arn´ı hmotnost 26,04 g mol⁻¹

hustota 1,097 kg m⁻³

teplota t´an´ı −80,8^◦C, trojn´y bod pˇri 1,27 atm

teplota varu −84^◦C (1 atm)

metodami, ale napˇr. i metodami sol-gel. Sch´ema molekuly je na obr´azku 4.7. a z´akladn´ı charakteristiku ud´av´a tabulka 4.2.

Ti

Tabulka 4.2: Z´akladn´ı charakteristika TTIP. Zdroj: [95]

chemick´y vzorec C₁₂H₂₈O₄Ti mol´arn´ı hmotnost 284,215 g mol⁻¹

hustota 0,96 g cm⁻³

teplota t´an´ı 17^◦C

teplota varu 232^◦C

4.3 Pouˇ zit´ e substr´ aty

Pro jednotliv´e f´aze v´yzkumu bylo pouˇzito v´ıce druh˚u substr´at˚u. Charakteristiky jednotliv´ych substr´at˚u jsou uvedeny v n´asleduj´ıc´ım pˇrehledu.

4.3.1 Polyethylenov´ y granul´ at

Jako pr´aˇskov´y substr´at byl pouˇzit polyethylen CB 9155 o zrnitosti 250µm od spoleˇcnosti Borealis. Jedn´a se o PE se stˇredn´ı hustotou 930 kg/m³.

4.3.2 Ploch´ y sklenˇ en´ y substr´ at

Jako z´akladn´ı ploch´y substr´at bylo pouˇz´ıv´ano mikroskopick´e podkladov´e skl´ıˇcko o rozmˇerech 26 × 76 mm a tlouˇst’ce 0,8 mm. Tento substr´at byl zpravidla pˇrekryt kryc´ım skl´ıˇckem o rozmˇerech 18 × 18 mm a tlouˇst’ce 0,17 mm, aby bylo moˇzn´e na vznikl´em

”schodu“ mˇeˇrit tlouˇst’ku vytvoˇren´e vrstvy.

4.3.3 Bavlnˇ en´ a tkanina

Tkanina z bavlnˇen´ych vl´aken, kter´a byla pouˇzita v experimentech mˇela parametry uveden´e v n´asleduj´ıc´ı tabulce 4.3.

Tabulka 4.3: Parametry bavlnˇen´e tkaniny

bavlnˇen´a pˇr´ıze bavlnˇen´a tkanina

Jemnost pˇr´ıze 20 tex Vazba tkaniny Pl´atnov´a 1/1 Z´akrutov´y koeficient 117 Tlouˇst’ka tkaniny 0,35 mm Zaplnˇen´ı 0,43 Ploˇsn´a mˇern´a hmotnost 120 g·m^-2 Pr˚umˇer pˇr´ıze 0,18 mm Dostava osnovy 250 nit´ı / 100 mm Pevnost pˇr´ıze 3,66 N Dostava ´utku 260 nit´ı / 100 mm Taˇznost pˇr´ıze 6,22 % Setk´an´ı osnovy 9,50 %

Setk´an´ı ´utku 7,00 %

4.3.4 Tkanina z ˇ cediˇ cov´ ych vl´ aken

Pro depozice za vysok´ych teplot byla pouˇzita tkanina z ˇcediˇcov´ych vl´aken BSL 200 od spoleˇcnosti Basaltex (Masureel Group, Belgie). Jej´ı parametry ud´av´a tabulka 4.4.

Tabulka 4.4: Parametry tkaniny z ˇcediˇcov´ych vl´aken

multifil z ˇcediˇcov´ych vl´aken

ˇ

cediˇcov´a tkanina

Poˇcet vl´aken 915 Vazba tkaniny Pl´atnov´a 1/1 D´elkov´a hmotnost 330 tex Tlouˇst’ka tkaniny 0,2 mm Pr˚umˇer vl´akna 13µm Ploˇsn´a mˇern´a hmotnost 200 g·m^-2

Jemnost vl´akna 0,36 tex P´orovitost 63 %

Pevnost v tahu 1,8 GPa Dostava osnovy 72 nit´ı / 100 mm Modul pruˇznosti 84 GPa Dostava ´utku 72 nit´ı / 100 mm

Taˇznost 2 % Setk´an´ı osnovy 1 %

Hustota 2,7 g·cm^-3 Setk´an´ı ´utku 2 %

4.3.5 Tkanina ze sklenˇ en´ ych vl´ aken

Sklenˇen´a tkanina, pouˇzit´a tak´e pro depozice za vysok´ych teplot byla od spoleˇcnosti F.A. Kumpers GmbH & Co. KG a jej´ı parametry jsou v tabulce 4.5.

Tabulka 4.5: Parametry tkaniny ze sklenˇen´ych vl´aken

multifil ze sklenˇen´ych vl´aken

sklenˇen´a tkanina

Poˇcet vl´aken 825 Vazba tkaniny Pl´atnov´a 1/1 D´elkov´a hmotnost 280 tex Tlouˇst’ka tkaniny 0,26 mm Pr˚umˇer vl´akna 13µm Ploˇsn´a mˇern´a hmotnost 295 g·m^-2

Jemnost vl´akna 0,34 tex P´orovitost 55 %

Pevnost v tahu 1,5 GPa Dostava osnovy 43 nit´ı / 100 mm Modul pruˇznosti 73 GPa Dostava ´utku 43 nit´ı / 100 mm

Taˇznost 2 % Setk´an´ı osnovy 1 %

Hustota 2,54 g·cm^-3 Setk´an´ı ´utku 2 %

4.4 Pouˇ zit´ e metody vyhodnocov´ an´ı

Pˇri vyhodnocov´an´ı v´ysledk˚u mˇeˇren´ı byly pouˇz´ıv´any metody a mˇeˇric´ı pˇr´ıstroje po-psan´e v n´asleduj´ıc´ı kapitole. Vˇetˇsina mˇeˇren´ı prob´ıhala na specializovan´ych pra-coviˇst´ıc´ıch Technick´e univerzity v Liberci.

4.4.1 Mˇ eˇ ren´ı tlouˇ st’ky vrstev optick´ ym profilometrem

Vyhodnocen´ı a kvantifikace m´ıry zab´ıhavosti vrstev do uzavˇren´e ˇstˇerbiny byla zaloˇzena na mˇeˇren´ı tlouˇst’ky vrstvy v pˇresnˇe definovan´ych m´ıstech modelov´eho substr´atu. Ta byla mˇeˇrena na optick´em profilometru v laboratoˇr´ıch povrchov´eho inˇzen´yrstv´ı na Katedˇre materi´alu Fakulty strojn´ı. Tento pˇr´ıstroj pracuje pomoc´ı optick´eho CWL senzoru, kter´y je integrov´an spolu s AFM v jednom pˇr´ıstroji od spoleˇcnosti FRT GmbH.

Mˇeˇren´ı tlouˇst’ky vrstev prob´ıhalo v m´ıstech pˇrechodu vznikl´eho maskov´an´ım mˇeˇren´eho substr´atu bˇehem depozice. Maskov´an´ı substr´atu bylo zajiˇst’ov´ano kryc´ımi skl´ıˇcky pro mikroskopii, jejichˇz tlouˇst’ka je pouh´ych 0,13–0,17 mm a je tedy minima-lizov´an vliv st´ınˇen´ı.

Vyuˇz´ıvan´y optick´y senzor pracuje na principu optick´e aberace ˇcoˇcky a je sche-maticky zn´azornˇen na obr´azku 4.8. D´ıky chromatick´e vadˇe ˇcoˇcky dojde po pr˚uchodu

”b´ıl´eho“ svˇetla k lomu paprsk˚u s r˚uzn´ymi vlnov´ymi d´elkami do r˚uzn´ych ohniskov´ych vzd´alenost´ı. Senzor vyhodnocuje profil vzorku v souˇradnici na z´akladˇe zjiˇst’ov´an´ı vl-nov´e d´elky zpˇetnˇe odraˇzen´ych paprsk˚u od povrchu vzorku.

Pˇr´ıstroj pracuje v rozsahu osy z 0 aˇz 300µm s rozliˇsen´ım 10 nm a v os´ach x, y v rozsahu aˇz 100 × 100µm s rozliˇsen´ım 1 µm [96].

z Čočka

Bílé světlo Ohnisko modré

Ohnisko červené

Optická osa

Obr´azek 4.8: Princip optick´eho profilometru

4.4.2 Mikroskopie atom´ arn´ıch sil (AFM)

Mikroskopie atom´arn´ıch sil (atomic force microscopy – AFM) je mikroskopick´a tech-nika pouˇz´ıvan´a k trojrozmˇern´emu zobrazov´an´ı povrch˚u. Obraz povrchu se sestavuje postupnˇe a metoda dosahuje velmi vysok´eho rozliˇsen´ı. M˚uˇze zobrazovat i atomy.

Techniku AFM lze pouˇz´ıt tak´e k tvorbˇe struktur ˇci zpracov´an´ı povrch˚u v nanomet-rov´e oblasti.

Obr´azek 4.9: Schematick´e zn´azornˇen´ı AFM. Zdroj: [97]

Principielnˇe slouˇz´ı AFM k detekci vz´ajemn´a meziatomov´a pˇritaˇzlivost. Detekuje se pohyb zkoumac´ıho hrotu pˇri pr˚uchodu nad vzorkem. Lze zobrazovat i nevodiv´e vzorky a nen´ı nutn´e je napraˇsovat vodivou vrstvou.

Zaˇr´ızen´ı, schematicky zn´azornˇen´e na obr´azku 4.9, skenuje povrch materi´alu po-moc´ı hrotu zavˇeˇsen´eho na pruˇzn´em v´ykyvn´em ram´enku. Hrot je pˇritahov´an

elek-trostatick´ymi a van der Waalsov´ymi silami. V´ykyvy ram´enka nad povrchem jsou detekov´any z pravidla laserem [97].

4.4.3 Skenovac´ı elektronov´ a mikroskopie (SEM)

Pod veden´ım dr. Grabm¨ullerov´e byly na katedˇre Textiln´ıch materi´al˚u, fakulty Tex-tiln´ı, Technick´e univerzity v Liberci, z´ısk´any sn´ımky povlakovan´ych tkanin skeno-vac´ım elektronov´ym mikroskopem.

Obr´azek 4.10: Schematick´e zn´azornˇen´ı SEM. Zdroj: [98]

Skenovac´ı (rastrovac´ı) elektronov´y mikroskop patˇr´ı k nejvˇsestrannˇejˇs´ım pˇr´ıstro-j˚um, kter´e jsou pouˇz´ıv´any na pozorov´an´ı a anal´yzu mikrostruktury pevn´ych l´atek.

Pracuje na principu ´uzk´eho svazku elektron˚u emitovan´ych ze ˇzhaven´e katody. Zdro-jem elektron˚u je zpravidla ˇzhaven´e wolframov´e vl´akno. Urychlen´e elektrony prol´etaj´ı soustavou elektromagnetick´ych ˇcoˇcek a tento paprsek prim´arn´ıch elektron˚u je pˇred dopadem na povrch vzorku rozpohybov´an vychylovac´ımi c´ıvkami tak, aby pokryl malou ploˇsku ˇr´adky – rastruje. Interakc´ı elektronov´eho svazku s povrchem vzorku

Pracuje na principu ´uzk´eho svazku elektron˚u emitovan´ych ze ˇzhaven´e katody. Zdro-jem elektron˚u je zpravidla ˇzhaven´e wolframov´e vl´akno. Urychlen´e elektrony prol´etaj´ı soustavou elektromagnetick´ych ˇcoˇcek a tento paprsek prim´arn´ıch elektron˚u je pˇred dopadem na povrch vzorku rozpohybov´an vychylovac´ımi c´ıvkami tak, aby pokryl malou ploˇsku ˇr´adky – rastruje. Interakc´ı elektronov´eho svazku s povrchem vzorku

In document VLIV DIF ´UZE NA PECVD FUNKˇCN´ICH VRSTEV (Page 46-0)